SK하이닉스는 27일(현지시간) 미국 인디애나주 웨스트라피엣에서 차세대 고대역폭 메모리(HBM) 어드밴스드 패키징 공장(팹)의 기공식을 진행하였다. 이번 인디애나 팹은 SK하이닉스가 미국에 건설하는 첫 생산기지로, 총 투자비는 약 40억 달러에 달하며, 미국 정부로부터 최대 4억5천만 달러의 보조금과 5억 달러의 대출이 제공된다.
착공된 인디애나 팹은 오는 2028년 10월 클린룸을 완공하여 이듬해 하반기부터 HBM 양산을 목표로 한다. 이곳에서 생산될 HBM은 한국 기업에 의해 미국에서 처음으로 만들어지는 것으로, 엔비디아를 포함한 미국의 주요 기술 기업들이 메이드 인 USA HBM을 사용할 수 있게 될 예정이다.
곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 인디애나 팹의 HBM 연간 생산 능력이 수십만 장에 이를 것이라고 밝혔다. 이 공장은 D램 웨이퍼 수십만 장을 바탕으로 HBM을 생산하며, 현재 SK하이닉스의 D램 생산량은 연간 600만 장으로, 일부가 HBM에 사용된다.
이번 프로젝트는 미국의 반도체 공급망 강화 및 경제·안보 기여 측면에서 중요한 기반이 될 것으로 기대된다. SK하이닉스는 차세대 HBM의 개발을 위해 퍼듀대학교와 협력하여 연구개발(MOU)을 체결하고, 해당 대학의 우수 인재를 유치할 계획이다.
팹의 본격 가동 시 약 1천명의 인력이 근무할 예정이며, 이를 포함하여 100여 개의 협력 업체와의 연계를 통해 약 7천 개의 직·간접 일자리 창출이 예상된다.기공식에는 곽노정 대표이사, 강경화 주미한국대사, 마이크 브런 인디애나 주지사, 토드 영(공화·인디애나) 연방 상원의원 등 주요 인사가 참석하여 이 행사를 축하하였다.
